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W-Bi-Ti-O系陶瓷低场电学性能的温度特性


□ 陈 敏 刘祖黎 王传聪 王 豫 羊新胜 姚凯伦

  摘要 采用通常的固相合成工艺制备了Bi2WTi3O12陶瓷. 在低场(E<100 V/mm)下, 随温度的升高, 样品的电学性质先呈现金属行为, 100℃后变为无规的电涨落, 300℃后则表现为半导体特征下的非线性行为. 这些现象不能用电传导的热激发Arrhenius规律来解释. XRD分析表明样品中存在Bi2WO6主晶相和Bi4Ti3O12次晶相. 考虑到WO3的相变后可以简单的解释上述实验结果.
  
  关键词 伏安特性 钛酸铋 三氧化钨
  

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