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斜角造型高压硅器件表面特性的光感生电流法检测


□ 董小兵 张少云 徐传骧
摘要:采用激光探针表面电荷测量系统,实现了有机/无机介质膜保护下的高压硅器件表面耗尽区展宽的测量,分析了光感生电流(OBIC)曲线与硅表面少子扩散长度、表面复合速率以及波长相关吸收系数的关系.实验和计算结果表明,He—Ne激光束由于具有较大的吸收系数(>3 200cm
  )和适当的透射深度(≈3.1μm),对曲线上下沿变化影响很小,测量结果可以直接反映硅表面本身的响应.小正斜角造型大功率硅整流管在反向偏置下,表面耗尽区在稳态光电导下的扩展几乎都是在低掺杂的n区进行,p区的扩展被“钉扎”.表面保护不良时,OBIC曲线可直接反映出局部的电场倍增状态.对不同腐蚀时间处理的磨角造型硅表面,OBIC测量结果表明,当腐蚀时间短时,表面少子寿命较低;反之,则寿命会有所提高.关键词:硅器件;表面耗尽区;光感生电流中图分类号:TN304 文献标识石马:A 文章编号:0253—987X(2004)06—0623—04

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