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化学机械抛光液的研究进展


□ 廉进卫 张大全 高立新

   摘 要:化学机械抛光(CMP)是唯一能对亚微米级器件提供全局平面化的技术,介绍了化学机械抛光浆料的品种、应用范围、研究进展以及浆料的组成和抛光原理,随着硅单晶片向大尺寸的发展,以及集成电路集成度的提高、线宽的进一步减小,须加强对化学机械抛光液的开发和抛光机理的研究,满足化学机械抛光的技术和工艺要求。
  关键词:化学机械抛光(CMP);硅片抛光;抛光液;SiO,胶体
  中图分类号:TQ 127.2
  文献标识码:A
  文章编号:0367-6358(2006)09-565-03

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