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深亚微米Flash NVM IC单元结构的电子显微分析


□ 钱智勇 倪锦峰 陈 一 王家楫

  摘 要:随着集成电路特征尺寸的不断缩小,器件结构越来越复杂,应用电子显微分析技术对IC的特定部位进行高空间分辨率的微结构分析,已成为IC新产品、新结构设计,新工艺开发和芯片生产质量保证的重要手段.结合深亚微米IC结构电子显微分析所涉及的FIB定位制样和TEM高分辨成像等关键技术的讨论,分析了一种新型的分立栅结构的深亚微米非挥发性闪烁存储器集成电路芯片(Flash NVM IC)的微结构特征,并从结构角度比较了其与堆叠栅结构Flash IC的性能.
  关键词:集成电路;闪烁存储器;结构微分析;透射电子显微镜;聚焦离子束
  中图分类号:TN 403;TN 407
  文献标识码:A

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