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基于交叉结构的分子电子器件及其逻辑电路的研究进展


□ 涂德钰 王丛舜 刘 明

  摘 要:随着大规模集成电路的特征尺寸进入到纳米级,传统的硅基集成电路技术成临挑战,新材料及新结构的研究成为热点,纳电子学分支之一的分子电子器件正在蓬勃发展,场效应晶体管(FET)和交叉结构是目前主要的分子电子器件的结构,而交叉结构有利于集成受到广泛关注。文章概述了基于交叉结构的分子纳米器伯工作原理、工艺流程,并着重介绍了逻辑功能的实现方法及其研究进展。最后,总结了交叉结构的前景及所面临的困难。
  关键词:交叉,纳米压印,逻辑电路,分子电子学

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摘自:物理
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